求人帮忙做一道计算题（信息电子物理基础），救命！

艺术人生

题目是这样的：
" c" o6 G& m+ J/ s; z$ b9 j% A' @
- c! J; ^% i" A' \" T, h' F* |
* I; `+ p, t) S; L6 A# }! L在T＝300K时，在两块单晶硅A和B中分别均匀掺杂ND＝1*1017cm-3和NA=1*1016cm-3
% l' q& z: a  f! H: @1.
分别指出两种半导体的类型，并求出两种半导体中电子浓度和空穴浓度。
/ b. w' o% x7 ?+ H( w2.
如已知NC＝2.8*1019，NV＝1.04*1019，分别求出两种半导体的费米能级相对导带底或价带顶的位置。
3.
0 Q# `# u' S' ^- f0 M) z* \如由这两种半导体形成PN结，求所形成的PN结的接触电位差。
9 p9 h# z; F5 a+ T% v, NNi＝1.5*1010 cm-3 Vt＝KBT/e＝26mv
2 Y9 @5 i/ X: k$ q' j8 C! P6 D( W' x硅材料 Nc＝2.8*1019
Nv＝1.04*1019
& {" o4 T) L6 \0 \. Qe＝1.6*10－19C
KB＝1.38*10－23J/K

4 c8 ]  l1 d2 y& [/ N, _( x' w# U
$ k, I) d% H9 U, x0 R& d# a
! C% U. S1 d1 \: f, N$ W/ B
2 w7 [+ C! w) Q1 @* {3 e. y" Y9 S好同学帮帮我，我的QQ4600533，手机13282105885，当面酬谢了。

天使3号怪盗

同学,你找对人了

鸭血粉丝汤

同学 您好!我艺术类毕业的!!!