iPhone 6 Plus 储存功能出包 如是Flash问题恐全面回收

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8 g6 X% w6 a! Q+ A/ k$ _$ r0 O0 u　　中评社香港11月4日电／iPhone 6 Plus传出储存功能出包，手机系统会发生崩溃、不断重开机等现象。若情况属实，苹果（Apple Inc.）很可能会全面召回iPhone 6 Plus手机。

5 n7 V" \, {1 h4 }　　据自由时报网消息，《AppleInsider》上个月就曾报道，iPhone 6 Plus只要使用者安装超过700项应用程式（App）后，手机系统就会发生问题，不断重新开机。有不少使用者都发生上述的情况，其中以128GB的机种情况最严重。

　　根据韩国媒体《BusinessKorea》昨日报道，苹果很有可能为了减少大尺寸、大容量机款的成本，选择了稳定度较差的NAND快闪记忆体，其中的控制IC很有可能就是罪魁祸首。
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( U- h! U. k; O6 `- Y　　报道指出，苹果所采用的快闪记忆体为三阶储存单元（TLC），是一种固态的NAND Flash，每一个快闪媒介单元都能储存3位元的资料，其容量较单阶储存单元（SLC）、多阶储存单元（MLC）多上2到3倍，资料运算速度却不如SLC或MLC，因而价格也比较便宜。
3 ?3 }: v' |& J) E3 ?据了解，苹果为节省成本，在苹果大尺吋新机、最大容量的机款128GB iPhone 6 Plus与其它部分机种，采用了TLC flash。过去iPhone手机通常都使用稳定度较高、但价格也较贵的MLC flash，而TLC flash只会用在部分iPad机种上。

　　有业界人士认为，若最后发现TLC flash真的是导致6 Plus系统当机原因，苹果很有可能会全面收回6 Plus手机。
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