骁龙835采用三星10nm工艺制造,集成八核Kyro 280 CPU,主频最高2.45GHz,同时集成Adreno 540 GPU、全球首款千兆基带X16、Spectra 180 ISP、Hexagon 682 DSP,支持QC 4.0快充、LPDDR4X内存、UFS 2.1存储、802.11ad无线、蓝牙5.0。, x, ^+ F: G/ T1 J; g
在发布会现场,我们也体验了骁龙835参考设计样机,一起来看看。
, K1 j9 z& T5 s需要注意的是,这只是一部开发机,仅供设计参考,不代表实际产品。$ m, e M9 I/ \+ f% `
左侧是骁龙821,右侧是骁龙835:工艺从14nm升级为10nm,尺寸减小35%,功耗降低25%。& n h% ^" }) D9 H
! M# ^8 {$ h/ F5 q高通自己的骁龙835参考设计样机:外观很朴素,比较方正,背部摄像头十分惹眼。
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电源键在右侧。" z5 W) Z( U0 W& p, T
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音量键在左侧。% Z2 D0 X2 u* f' |" M2 m, G4 [
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底部有3.5mm、USB Type-C。
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2 p! ^& `# N7 \8 f! K+ T4 A跑分18万,iPhone 7 Plus的水平,不是很高,不过跑分波动性很大,理论上应该可以超过20万的。骁龙821最高可以跑到16万。
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已经识别得很好:6GB内存、64GB存储、2K屏幕、2140万像素摄像头、安卓7.1.1系统。
* i: r4 t, y* GGeekBench 4跑分单核心过2000,多核心接近6500,相当优秀了,相比于骁龙821分别提升超过10%、50%。! Z- [8 [) Z( }
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GFXBench ES 3.1/3.0曼哈顿离屏成绩分别为43FPS、63FPS,比骁龙821都提高了10+FPS。
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$ ^; z8 @) O g0 t w2 c- S7 h/ GPCMark跑分。8 [4 L2 ?% N# R+ H- o2 ^+ r
5 P4 U, x! h$ u/ o% rGoogle Octane跑分。
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