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骁龙835样机、跑分大曝光

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    奋斗
    4 小时前
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    [LV.Master]伴坛终老

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    1
    发表于 2017-3-24 17:09:16 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式
    骁龙835采用三星10nm工艺制造,集成八核Kyro 280 CPU,主频最高2.45GHz,同时集成Adreno 540 GPU、全球首款千兆基带X16、Spectra 180 ISP、Hexagon 682 DSP,支持QC 4.0快充、LPDDR4X内存、UFS 2.1存储、802.11ad无线、蓝牙5.0。, x, ^+ F: G/ T1 J; g
    在发布会现场,我们也体验了骁龙835参考设计样机,一起来看看。
    , K1 j9 z& T5 s需要注意的是,这只是一部开发机,仅供设计参考,不代表实际产品。$ m, e  M9 I/ \+ f% `
    左侧是骁龙821,右侧是骁龙835:工艺从14nm升级为10nm,尺寸减小35%,功耗降低25%。& n  h% ^" }) D9 H

    ! M# ^8 {$ h/ F5 q高通自己的骁龙835参考设计样机:外观很朴素,比较方正,背部摄像头十分惹眼。
    8 j" ?5 F7 @# Q6 L* {) F, x1 L4 f6 @; E
    电源键在右侧。" z5 W) Z( U0 W& p, T
    , D. ]$ A+ f( T0 ^. z
    音量键在左侧。% Z2 D0 X2 u* f' |" M2 m, G4 [
    9 {5 a& {% P' V
    底部有3.5mm、USB Type-C。
    - b' j, g0 i( S5 x+ P) m* {
    2 p! ^& `# N7 \8 f! K+ T4 A跑分18万,iPhone 7 Plus的水平,不是很高,不过跑分波动性很大,理论上应该可以超过20万的。骁龙821最高可以跑到16万。
      h9 e+ I/ H4 V) l1 L( q, o' C: y- u% E3 f
    已经识别得很好:6GB内存、64GB存储、2K屏幕、2140万像素摄像头、安卓7.1.1系统。

    * i: r4 t, y* GGeekBench 4跑分单核心过2000,多核心接近6500,相当优秀了,相比于骁龙821分别提升超过10%、50%。! Z- [8 [) Z( }
    5 C0 t) c  P. P0 I" s0 ^
    GFXBench ES 3.1/3.0曼哈顿离屏成绩分别为43FPS、63FPS,比骁龙821都提高了10+FPS。
    ( @' R1 N/ i' r2 }
    $ ^; z8 @) O  g0 t  w2 c- S7 h/ GPCMark跑分。8 [4 L2 ?% N# R+ H- o2 ^+ r

    5 P4 U, x! h$ u/ o% rGoogle Octane跑分。
    8 P! N% C, A% d2 q1 ]* H$ n8 l& {  J% n' J* m' b6 I

    % N8 [3 ?7 P7 d2 k, B  E
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