骁龙835样机、跑分大曝光

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骁龙835采用三星10nm工艺制造，集成八核Kyro 280 CPU，主频最高2.45GHz，同时集成Adreno 540 GPU、全球首款千兆基带X16、Spectra 180 ISP、Hexagon 682 DSP，支持QC 4.0快充、LPDDR4X内存、UFS 2.1存储、802.11ad无线、蓝牙5.0。
2 x/ ~* L: g% s4 t- T在发布会现场，我们也体验了骁龙835参考设计样机，一起来看看。
: z/ c4 \0 h$ T0 p5 N+ Z需要注意的是，这只是一部开发机，仅供设计参考，不代表实际产品。
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左侧是骁龙821，右侧是骁龙835：工艺从14nm升级为10nm，尺寸减小35％，功耗降低25％。
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高通自己的骁龙835参考设计样机：外观很朴素，比较方正，背部摄像头十分惹眼。

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电源键在右侧。

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音量键在左侧。

底部有3.5mm、USB Type-C。

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跑分18万，iPhone 7 Plus的水平，不是很高，不过跑分波动性很大，理论上应该可以超过20万的。骁龙821最高可以跑到16万。

已经识别得很好：6GB内存、64GB存储、2K屏幕、2140万像素摄像头、安卓7.1.1系统。

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GeekBench 4跑分单核心过2000，多核心接近6500，相当优秀了，相比于骁龙821分别提升超过10％、50％。
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GFXBench ES 3.1/3.0曼哈顿离屏成绩分别为43FPS、63FPS，比骁龙821都提高了10+FPS。
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PCMark跑分。
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Google Octane跑分。


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