求人帮忙做一道计算题（信息电子物理基础），救命！
题目是这样的：在T＝300K时，在两块单晶硅A和B中分别均匀掺杂ND＝1*1017cm-3和NA=1*1016cm-3
1.
分别指出两种半导体的类型，并求出两种半导体中电子浓度和空穴浓度。
2.
如已知NC＝2.8*1019，NV＝1.04*1019，分别求出两种半导体的费米能级相对导带底或价带顶的位置。
3.
如由这两种半导体形成PN结，求所形成的PN结的接触电位差。
Ni＝1.5*1010 cm-3 Vt＝KBT/e＝26mv
硅材料 Nc＝2.8*1019
Nv＝1.04*1019
e＝1.6*10－19C
KB＝1.38*10－23J/K
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